پیام خود را بنویسید
بارکد
شماره پایان نامه
230
پدیدآور
ثقفی، کامیار Saghafi, Kamyar
عنوان فارسی
شبیه سازی دوبعدی ترانزیستور MESFET در حالت پایدار بااستفاده از روش المان محدود (FENITE ELEMENT)
عنوان انگلیسی
عنوان به زبان دیگر
استاد راهنما
مروج فرشی، محمدکاظم Moravvej Farshi, Mohammad Kazem --
استاد مشاور
مقطع تحصیلی
کارشناسی ارشد
دانشکده
فنی و مهندسی
دپارتمان یا گروه
رشته تحصیلی
تاریخ دفاع
1373/1
زبان متن
فارسی
زبان چکیده
فارسی
انگلیسی
مشخصات ظاهری
دارای جدول
دارای نمودار
تعداد صفحات
86
واژه‌های کلیدی به فارسی
روش عددی روش گوس سیدل ترانزیستور اثرمیدانی شبیه سازی آنتنهای بوقی
واژه‌های کلیدی به انگلیسی
Horn Antennas Field effect transistor Numerical method Gauss - seedel method
واژه‌های کلیدی به زبان دیگر
فایل چکیده
فایل اصلی
اعضای دانشگاه تربیت مدرس با ورود نام کاربری و رمز عبور ایمیل دانشگاه دسترسی مجاز خواهند داشت.
ورود خودکار
دفعات مشاهده: 94 بار