آدرس ایمیل خود را وارد نمایید
ثبت
پیام خود را بنویسید
ارسال به ایمیل
راهنمای جستجو در سامانه پارسه
راهنمای بارگذاری پایان نامه/رساله
English
تماس با ما
درباره ما
ورود به سایت
ورود خودکار
ثبت نام
بازیابی رمز عبور
سبد خرید
آیتمی وجود ندارد
راهنماها
بارکد
شماره پایان نامه
6427
پدیدآور
رستمی، امیر
Rostami, Amir
عنوان فارسی
طراحی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان گرافنی با نواحی سورس و درین مهندسی شده
عنوان انگلیسی
Design and Simulation of Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor with Engineered Source and Drain Regions
عنوان به زبان دیگر
استاد راهنما
فتحی، داوود
Davood, Fathi
--
استاد مشاور
مقطع تحصیلی
کارشناسی ارشد
دانشکده
مهندسی برق و کامپیوتر
دپارتمان یا گروه
الکترونیک
رشته تحصیلی
مهندسی برق ، الکترونیک
تاریخ دفاع
1393/11
زبان متن
فارسی
زبان چکیده
فارسی
انگلیسی
مشخصات ظاهری
دارای نمودار
دارای تصوير
دارای جدول
تعداد صفحات
83
واژههای کلیدی به فارسی
تابع گرین
ترانزیستور اثرمیدانی
نانونوارگرافنی
روش تنگ بست
واژههای کلیدی به انگلیسی
Field effect transistor
Green's function
Graphene nanoribbon
Thight binding method
واژههای کلیدی به زبان دیگر
فایل چکیده
فایل اصلی
اعضای دانشگاه تربیت مدرس با ورود نام کاربری و رمز عبور ایمیل دانشگاه دسترسی مجاز خواهند داشت.
ورود خودکار
ثبت نام
|
بازیابی رمز عبور
دفعات مشاهده: 178 بار